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Samsung MZ-V7S2T0BW

Samsung – Solid-State-Disk


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Samsung MZ-V7S2T0BW

Samsung Solid-State-Disk

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Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S2T0BW - Solid-State-Disk - 2 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.

- Produktbeschreibung: Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S2T0BW - Solid-State-Disk - 2 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
- Typ: Solid-State-Disk - intern - RAPID-Modus-Unterstützung, V-NAND Technology, eDrive, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
- Kapazität: 2 TB
- Hardwareverschlüsselung: Ja
- Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES
- NAND-Flash-Speichertyp: TLC (Triple-Level Cell)
- Formfaktor: M.2
- Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
- Puffergrösse: 2 GB
- Merkmale: RAPID-Modus-Unterstützung, V-NAND Technology, eDrive, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
- Herstellergarantie: 5 Jahre Garantie

Festplattentyp Interne Festplatte
Speicherkapazität in GB 2 TB
Interner Datendurchsatz 3500 MBps
Puffergröße 2 GB
Typ 5 Jahre Garantie
Typ Solid-State-Disk
Formfaktor M.2
Produktlinie Samsung 970 EVO Plus
Bezeichnung MZ-V7S2T0BW
Marke Samsung
Hersteller Samsung
Packungsmenge 1
Formfaktor (kurz) M.2
Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Interne Datenrate (Schreiben) 3300 MBps
Formfaktor (metrisch) M.2
Formfaktor (kurz) (metrisch) M.2
4 KB Random Read 19000 IOPS
NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell)
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