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Samsung MZ-V7S250BW

Samsung – Solid-State-Disk


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MZ-V7S250BW
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Samsung MZ-V7S250BW

Samsung Solid-State-Disk

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Artikel-Nr. Fust: AN8402667

Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW - Solid-State-Disk - 250 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Speicherkapazität total: 250 GB, Speicherschnittstelle: PCI-Express x4, SSD Bauhöhe: 2.38 mm, SSD Formfaktor: M.2 2280

- Produktbeschreibung: Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW - Solid-State-Disk - 250 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
- Typ: Solid-State-Disk - intern
- Kapazität: 250 GB
- Hardwareverschlüsselung: Ja
- Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES
- NAND-Flash-Speichertyp: Multi-Level-Cell (MLC)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
- Puffergrösse: 512 MB
- Merkmale: TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
- Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe): 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
- Gewicht: 8 g
- Herstellergarantie: 5 Jahre Garantie

Festplattentyp Interne Festplatte
Speicherkapazität in GB 250 GB
Interner Datendurchsatz 3500 MBps
Puffergröße 512 MB
Breite cm 22.15 mm
Tiefe 80.15 mm
Höhe 2.38 mm
Gewicht 8 g
Typ 5 Jahre Garantie
Typ Solid-State-Disk
Formfaktor M.2 2280
Produktlinie Samsung 970 EVO Plus
Bezeichnung MZ-V7S250BW
Marke Samsung
Hersteller Samsung
Packungsmenge 1
Formfaktor (kurz) M.2
Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Interne Datenrate (Schreiben) 2300 MBps
Formfaktor (metrisch) M.2 2280
Formfaktor (kurz) (metrisch) M.2
4 KB Random Read 17000 IOPS
NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC)
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