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INTEL Solid-State Drive DC P4610 Series

INTEL – Solid-State-Disk


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Solid-State Drive DC P4610 Series
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INTEL Solid-State Drive DC P4610 Series

INTEL Solid-State-Disk

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Artikel-Nr. Fust: AN8383220

Intel Solid-State Drive DC P4610 Series - Solid-State-Disk - 6.4 TB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe)
Der erweiterte Datenschutz bei Stromausfall bereitet das SSD auf einen unerwarteten Energieverlust des Systems vor, indem die Menge der über temporäre Puffer weitergeleiteten Daten minimiert wird, und nutzt eine integrierte Kapazität zum Schutz bei Stromausfall, um der SSD-Firmware ausreichende Energie zur Verschiebung von Daten aus dem Übertragungspuffer und anderen Puffern in den NAND bereitzustellen und so System- und Benutzerdaten zu schützen.

- Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P4610 Series - Solid-State-Disk - 6.4 TB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe)
- Typ: Solid-State-Disk - intern - High Endurance Technology (HET), Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, 3D NAND Technology
- Kapazität: 6.4 TB
- Hardwareverschlüsselung: Ja
- Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES
- NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC)
- Formfaktor: 2.5" / U.2 (6.4 cm / U.2)
- Schnittstelle: PCI Express 3.1 x4 (NVMe)
- Merkmale: High Endurance Technology (HET), Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, 3D NAND Technology
- Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe): 15 mm
- Gewicht: 139 g
- Herstellergarantie: 5 Jahre Garantie

Festplattentyp Interne Festplatte
Speicherkapazität in GB 6.4 TB
Interner Datendurchsatz 3000 MBps
Nicht-korrigierbare Datenfehler 1 pro 10^17
Höhe 15 mm
Gewicht 139 g
Typ 5 Jahre Garantie
Typ Solid-State-Disk
Formfaktor 2.5" / U.2
Produktlinie Intel
Bezeichnung Solid-State Drive DC P4610 Series
Marke Intel
Hersteller INTEL
Packungsmenge 1
Formfaktor (kurz) U.2
Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe)
Interne Datenrate (Schreiben) 2900 MBps
Formfaktor (metrisch) 6.4 cm / U.2
Formfaktor (kurz) (metrisch) U.2
4 KB Random Read 640000 IOPS
NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC)
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